FDP3682
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDP3682

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDP3682-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 100V 6A/32A TO220-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 6A (Ta), 32A (Tc) 95W (Tc) Through Hole TO-220-3

Αποθέμα:

7136 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12838953
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDP3682 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tube
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
6A (Ta), 32A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
36mOhm @ 32A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1250 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
95W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDP36

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
FDP3682
Φύλλα δεδομένων
FDB3682, FDP3682
HTML Δελτίο δεδομένων
FDP3682-DG

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
50

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FDN360P

MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3

infineon-technologies

94-4007

MOSFET N-CH 30V 35A DPAK

onsemi

FDB14N30TM

MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK

onsemi

HUFA76423D3S

MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA