Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FDME820NZT
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FDME820NZT-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 20 V 9A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount MicroFet 1.6x1.6 Thin
Αποθέμα:
12499 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12930663
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FDME820NZT Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
9A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
18mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
8.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
865 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2.1W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
MicroFet 1.6x1.6 Thin
Συσκευασία / Θήκη
6-PowerUFDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDME820
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
5,000
Άλλα ονόματα
FDME820NZTTR
FDME820NZT-DG
FDME820NZTCT
FDME820NZTDKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FDMS2D5N08C
MOSFET N-CH 80V 166A POWER56
FQA9N90-F109
MOSFET N-CH 900V 8.6A TO3PN
FCA16N60N
MOSFET N-CH 600V TO-3PN
