Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FQA9N90-F109
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FQA9N90-F109-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 900V 8.6A TO3PN
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 900 V 8.6A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-3PN
Αποθέμα:
12930668
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FQA9N90-F109 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
QFET®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
900 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
8.6A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.3Ohm @ 4.3A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2700 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
240W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-3PN
Συσκευασία / Θήκη
TO-3P-3, SC-65-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
FQA9
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
450
Άλλα ονόματα
2832-FQA9N90-F109-488
2156-FQA9N90-F109-OS
FQA9N90_F109
ONSONSFQA9N90-F109
FQA9N90_F109-DG
2832-FQA9N90-F109
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
2SK1317-E
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Renesas Electronics Corporation
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
5608
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
2SK1317-E-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
3.29
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FCA16N60N
MOSFET N-CH 600V TO-3PN
NVMFS5C680NLWFT1G
MOSFET N-CH 60V 8.1A/21A 5DFN
FQPF6N90C
MOSFET N-CH 900V 6A TO220F
