Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FDME430NT
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FDME430NT-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 30V 6A MICROFET1.6
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 6A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount MicroFet 1.6x1.6 Thin
Αποθέμα:
12851330
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FDME430NT Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
6A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
40mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
9 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
760 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2.1W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
MicroFet 1.6x1.6 Thin
Συσκευασία / Θήκη
6-PowerUFDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDME43
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
5,000
Άλλα ονόματα
FDME430NT-DG
FDME430NTCT
FDME430NTTR
FDME430NTDKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDT439N
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
18318
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDT439N-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.30
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FQNL1N50BTA
MOSFET N-CH 500V 270MA TO92-3
HUF75639S3
MOSFET N-CH 100V 56A I2PAK
HUF75631S3S
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
