Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
R6509KNJTL
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
R6509KNJTL-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 650V 9A LPTS
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 9A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount LPTS
Αποθέμα:
87 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12851343
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
R6509KNJTL Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
9A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
585mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 230µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
16.5 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
540 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
94W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
LPTS
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Βασικός αριθμός προϊόντος
R6509
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,000
Άλλα ονόματα
846-R6509KNJTLDKR
846-R6509KNJTLTR
846-R6509KNJTLCT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STB13NK60ZT4
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
757
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STB13NK60ZT4-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.79
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FCH070N60E
MOSFET N-CH 600V 52A TO247
FDZ201N
MOSFET N-CH 20V 9A 12BGA
BSS138L
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
