FDMD8560L

Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDMD8560L

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDMD8560L-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2N-CH 60V 22A 8PWR 5X6

Λεπτομερής Περιγραφή:

Mosfet Array 60V 22A, 93A 2.2W Surface Mount 8-Power 5x6

Αποθέμα:

2932 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα

12850019

Αίτηση Προσφοράς

Ποσότητα
Ελάχιστο 1

(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών

ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDMD8560L Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία

FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET

Κατασκευαστής

onsemi

Συσκευασία

Cut Tape (CT)

Σειρά

PowerTrench®

Κατάσταση προϊόντος

Obsolete

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Διαμόρφωση

2 N-Channel (Half Bridge)

Δυνατότητα FET

-

Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)

60V

Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C

22A, 93A

Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs

3.2mOhm @ 22A, 10V

Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID

3V @ 250µA

Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs

128nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds

11130pF @ 30V

Ισχύς - Μέγιστη

2.2W

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Συσκευασία / Θήκη

8-PowerWDFN

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

8-Power 5x6

Βασικός αριθμός προϊόντος

FDMD8560

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων

Φύλλα δεδομένων

HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο

3,000

Άλλα ονόματα

FDMD8560LTR

2156-FDMD8560L-488

2832-FDMD8560L

FDMD8560LDKR

FDMD8560LCT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS

ROHS3 Compliant

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)

1 (Unlimited)

Κατάσταση REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Πιστοποίηση DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Σχετικά προϊόντα

alpha-and-omega-semiconductor

AO4892

MOSFET 2N-CH 100V 4A 8SOIC

onsemi

FD6M045N06

MOSFET 2N-CH 60V 60A EPM15

onsemi

FDS6990AS

MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC

onsemi

FDMS8090

MOSFET 2N-CH 100V 10A 8MLP PWR56