FDMD8560L
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDMD8560L

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDMD8560L-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2N-CH 60V 22A 8PWR 5X6
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 60V 22A, 93A 2.2W Surface Mount 8-Power 5x6

Αποθέμα:

2932 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12850019
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDMD8560L Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Cut Tape (CT)
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Half Bridge)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
22A, 93A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
3.2mOhm @ 22A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
128nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
11130pF @ 30V
Ισχύς - Μέγιστη
2.2W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerWDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-Power 5x6
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDMD8560

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
FDMD8560LTR
2156-FDMD8560L-488
2832-FDMD8560L
FDMD8560LDKR
FDMD8560LCT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
alpha-and-omega-semiconductor

AO4892

MOSFET 2N-CH 100V 4A 8SOIC

onsemi

FD6M045N06

MOSFET 2N-CH 60V 60A EPM15

onsemi

FDS6990AS

MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC

onsemi

FDMS8090

MOSFET 2N-CH 100V 10A 8MLP PWR56