Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FD6M045N06
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FD6M045N06-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 60V 60A EPM15
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 60V 60A Through Hole EPM15
Αποθέμα:
12850047
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
QgiE
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FD6M045N06 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
Power-SPM™
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
60A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
87nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
3890pF @ 25V
Ισχύς - Μέγιστη
-
Θερμοκρασία λειτουργίας
-40°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Συσκευασία / Θήκη
EPM15
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
EPM15
Βασικός αριθμός προϊόντος
FD6M045
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
19
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FDS6990AS
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
FDMS8090
MOSFET 2N-CH 100V 10A 8MLP PWR56
FW297-TL-2W
MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOIC
