Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FDMD84100
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FDMD84100-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 100V 7A POWER 3.3X5
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 100V 7A 2.1W Surface Mount Power 3.3x5
Αποθέμα:
4869 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12848180
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FDMD84100 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual) Common Source
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
7A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
20mOhm @ 7A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
16nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
980pF @ 50V
Ισχύς - Μέγιστη
2.1W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerWDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
Power 3.3x5
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDMD84
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
FDMD84100CT
FDMD84100TR
FDMD84100DKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDS89161
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
22674
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDS89161-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.60
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
EFC6611R-TF
MOSFET 2N-CH 12V 27A 6CSP
FDPC8012S
MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
MMDF2P02HDR2G
MOSFET 2P-CH 20V 3.3A 8SOIC
