FDJ128N
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDJ128N

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDJ128N-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 20V 5.5A SC75-6 FLMP
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 20 V 5.5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SC75-6 FLMP

Αποθέμα:

12847088
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDJ128N Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
5.5A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
35mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
8 nC @ 5 V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
543 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.6W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SC75-6 FLMP
Συσκευασία / Θήκη
SC-75-6 FLMP
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDJ128

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
FDJ128N_NLTR-DG
FDJ128NTR-NDR
FDJ128N_NLCT-DG
FDJ128NCT
FDJ128N_NLCT
FDJ128NTR
FDJ128N_NL
FDJ128NCT-NDR
FDJ128NDKR
FDJ128N_NLTR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FDMS0312S

MOSFET N-CH 30V 19A/42A 8PQFN

onsemi

FDMC86139P

MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP

onsemi

FQB6N40CTM

MOSFET N-CH 400V 6A D2PAK

onsemi

FQB32N12V2TM

MOSFET N-CH 120V 32A D2PAK