FDMC86139P
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDMC86139P

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDMC86139P-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 100 V 4.4A (Ta), 15A (Tc) 2.3W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)

Αποθέμα:

12847091
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDMC86139P Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
4.4A (Ta), 15A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
67mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±25V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1335 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2.3W (Ta), 40W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-MLP (3.3x3.3)
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerWDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDMC86139

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
FDMC86139PCT
2832-FDMC86139PTR
2156-FDMC86139P-OS
ONSONSFDMC86139P
FDMC86139PTR
FDMC86139PDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FQB6N40CTM

MOSFET N-CH 400V 6A D2PAK

onsemi

FQB32N12V2TM

MOSFET N-CH 120V 32A D2PAK

onsemi

NTD40N03RT4

MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A DPAK

onsemi

FDS9412

MOSFET N-CH 30V 7.9A 8SOIC