Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FDG6318P
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FDG6318P-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC88
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 20V 500mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
Αποθέμα:
12850581
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FDG6318P Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 P-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
500mA
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
780mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
1.2nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
83pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
300mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SC-88 (SC-70-6)
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDG6318
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
FDG6318PFSCT
FDG6318PFSDKR
FDG6318P-DG
FDG6318PFSTR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NTJD4152PT1G
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
15411
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NTJD4152PT1G-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.10
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMP2004DWK-7
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2954
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMP2004DWK-7-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.10
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FDZ1905PZ
MOSFET 2P-CH 6WLCSP
FDS8978
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
ECH8601M-TL-H-P
MOSFET 2N-CH 24V 8A 8ECH
