Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
ECH8601M-TL-H-P
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
ECH8601M-TL-H-P-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 24V 8A 8ECH
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 24V 8A (Ta) Surface Mount 8-ECH
Αποθέμα:
12850614
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
ECH8601M-TL-H-P Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
24V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
8A (Ta)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
23mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.3V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
7.5nC @ 4.5V
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SMD, Flat Lead
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-ECH
Βασικός αριθμός προϊόντος
ECH8601
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
ECH8697R-TL-W
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
7946
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
ECH8697R-TL-W-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.18
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Direct
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
AO9926C
MOSFET 2N-CH 20V 7.6A 8SOIC
FDMS3660S-F121
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A POWER56
BSD235N L6327
MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
