Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTLJF4156NT1G
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTLJF4156NT1G-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 2.5A (Tj) 710mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Αποθέμα:
28406 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12857714
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTLJF4156NT1G Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.5A (Tj)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
70mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
6.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
427 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
Schottky Diode (Isolated)
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
710mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
6-WDFN (2x2)
Συσκευασία / Θήκη
6-WDFN Exposed Pad
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTLJF4156
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
=NTLJF4156NT1GOSCT-DG
NTLJF4156NT1GOSDKR
NTLJF4156NT1GOSCT
ONSONSNTLJF4156NT1G
2156-NTLJF4156NT1G-OS
NTLJF4156NT1GOSTR
NTLJF4156NT1G-DG
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NP75P03YDG-E1-AY
MOSFET P-CH 30V 75A 8HSON
NTMFS5C430NT1G
MOSFET N-CH 40V 35A/185A 5DFN
NTMFS5C450NLT3G
MOSFET N-CH 40V 27A/110A 5DFN
