FDD6030L
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDD6030L

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDD6030L-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 30V 12A/50A DPAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 12A (Ta), 50A (Tc) 3.2W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Αποθέμα:

12846161
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDD6030L Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
12A (Ta), 50A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
14.5mOhm @ 12A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
28 nC @ 5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1230 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3.2W (Ta), 56W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-252AA
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDD6030

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
FDD6030LCT
2832-FDD6030L-488
FDD6030L-DG
2832-FDD6030LTR
FDD6030LTR
FDD6030LDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPD30N03S4L14ATMA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
18945
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPD30N03S4L14ATMA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.28
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPD70N03S4L04ATMA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
5130
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPD70N03S4L04ATMA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.48
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPD135N03LGATMA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
31780
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPD135N03LGATMA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.26
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMN3016LK3-13
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
11562
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMN3016LK3-13-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.15
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMG4468LK3-13
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2455
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMG4468LK3-13-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.16
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
alpha-and-omega-semiconductor

AON7400

MOSFET N-CH 30V 10A/26A 8DFN

onsemi

FQA9P25

MOSFET P-CH 250V 10.5A TO3P

onsemi

FDS6692A

MOSFET N-CH 30V 9A 8SOIC

alpha-and-omega-semiconductor

AOB296L

MOSFET N CH 100V 9.5A TO263