Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FDS6692A
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FDS6692A-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOIC
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 9A (Ta) 1.47W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Αποθέμα:
12846166
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FDS6692A Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
9A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
11.5mOhm @ 9A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1610 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.47W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SOIC
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDS6692
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
FDS6692ACT
FDS6692ATR
FDS6692ADKR
2832-FDS6692A
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BSO110N03MSGXUMA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
7364
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BSO110N03MSGXUMA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.32
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMN3016LSS-13
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
14193
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMN3016LSS-13-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.14
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
