FDD24AN06LA0_SB82179
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDD24AN06LA0_SB82179

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDD24AN06LA0_SB82179-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 60V 7.1A/40A TO252AA
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 7.1A (Ta), 40A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Αποθέμα:

12847208
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDD24AN06LA0_SB82179 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
7.1A (Ta), 40A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
19mOhm @ 40A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
21 nC @ 5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1850 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
75W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-252AA
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDD24

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
1

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
infineon-technologies

IPD65R420CFDATMA1

MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3

infineon-technologies

IPA80R460CEXKSA2

MOSFET N-CH 800V 10.8A TO220

onsemi

HUF75631P3

MOSFET N-CH 100V 33A TO220-3

onsemi

FDT1600N10ALZ

MOSFET N-CH 100V 5.6A SOT223-4