FDT1600N10ALZ
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDT1600N10ALZ

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDT1600N10ALZ-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 100V 5.6A SOT223-4
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 5.6A (Tc) 10.42W (Tc) Surface Mount SOT-223-4

Αποθέμα:

6830 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12847218
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDT1600N10ALZ Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
5.6A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
160mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.8V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
3.77 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
225 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
10.42W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-223-4
Συσκευασία / Θήκη
TO-261-4, TO-261AA
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDT1600

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
4,000
Άλλα ονόματα
FDT1600N10ALZCT
FDT1600N10ALZTR
FDT1600N10ALZDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FQD13N10TM

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

onsemi

FDB9506L-F085

MOSFET N-CH 30V

onsemi

FDS6690A_NBBM015A

MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC

onsemi

FDD2512

MOSFET N-CH 150V 6.7A TO252