Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDC021N30

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDC021N30-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6

Λεπτομερής Περιγραφή:

N-Channel 30 V 6.1A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

Αποθέμα:

RFQ Online

12838259

Αίτηση Προσφοράς

Ποσότητα
Ελάχιστο 1

(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών

ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDC021N30 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία

FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs

Κατασκευαστής

onsemi

Συσκευασία

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

Σειρά

PowerTrench®

Κατάσταση προϊόντος

Obsolete

Τύπος FET

N-Channel

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)

30 V

Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C

6.1A (Ta)

Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs

26mOhm @ 6.1A, 10V

Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID

3V @ 250µA

Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs

10.8 nC @ 10 V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds

710 pF @ 15 V

Δυνατότητα FET

-

Απαγωγή ισχύος (μέγ.)

700mW (Ta)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

SuperSOT™-6

Συσκευασία / Θήκη

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Βασικός αριθμός προϊόντος

FDC021

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων

Φύλλα δεδομένων

HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο

3,000

Άλλα ονόματα

FDC021N30DKR

FDC021N30CT

2832-FDC021N30TR

FDC021N30TR

2832-FDC021N30-488

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS

ROHS3 Compliant

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)

1 (Unlimited)

Κατάσταση REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ

DMG6402LVT-7

ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ

Diodes Incorporated

ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ

26413

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ

DMG6402LVT-7-DG

ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ

0.06

ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ

Similar

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ

RQ6E055BNTCR

ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ

Rohm Semiconductor

ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ

2970

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ

RQ6E055BNTCR-DG

ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ

0.20

ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ

Similar

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ

RQ6E045BNTCR

ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ

Rohm Semiconductor

ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ

2960

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ

RQ6E045BNTCR-DG

ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ

0.10

ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ

Similar

Πιστοποίηση DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Σχετικά προϊόντα

onsemi

ISL9N302AP3

MOSFET N-CH 30V 75A TO220-3

onsemi

FDMS86550

MOSFET N-CH 60V 32A/155A POWER56

onsemi

FDMC008N08C

MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN

onsemi

HUF76407P3

MOSFET N-CH 60V 13A TO220-3