Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FDMS86550
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FDMS86550-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 60V 32A/155A POWER56
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 32A (Ta), 155A (Tc) 2.7W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Αποθέμα:
1537 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12838267
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FDMS86550 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
32A (Ta), 155A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.65mOhm @ 32A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
154 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
11530 pF @ 30 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2.7W (Ta), 156W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-PQFN (5x6)
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDMS86
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
FDMS86550DKR
FDMS86550TR
FDMS86550CT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BSC014N06NSATMA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
14862
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BSC014N06NSATMA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.24
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FDMC008N08C
MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN
HUF76407P3
MOSFET N-CH 60V 13A TO220-3
HUFA75329D3ST
MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
