Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FDB9503L-F085
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FDB9503L-F085-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 40V 110A D2PAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 40 V 110A (Tc) 333W (Tj) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Αποθέμα:
12930518
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FDB9503L-F085 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
40 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
110A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2.6mOhm @ 80A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
255 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±16V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
8320 pF @ 20 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
333W (Tj)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-263 (D2PAK)
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDB9503
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
800
Άλλα ονόματα
488-FDB9503L-F085CT
488-FDB9503L-F085TR
488-FDB9503L-F085DKR
FDB9503L-F085INACTIVE
FDB9503L-F085-DG
FDB9503L_F085-DG
FDB9503L_F085
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NVMFS2D3P04M8LT1G
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
95
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NVMFS2D3P04M8LT1G-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.45
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
AON7466
MOSFET N-CH 30V 15A/30A 8DFN
FDS86267P
MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SOIC
FQAF33N10L
MOSFET N-CH 100V 25.8A TO3PF
