Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FQAF33N10L
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FQAF33N10L-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 25.8A TO3PF
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 25.8A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-3PF
Αποθέμα:
12930526
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FQAF33N10L Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
QFET®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
25.8A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
52mOhm @ 12.9A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
40 nC @ 5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1630 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
83W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-3PF
Συσκευασία / Θήκη
TO-3P-3 Full Pack
Βασικός αριθμός προϊόντος
FQAF3
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFP140NPBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFP140NPBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.83
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
HUFA76423D3ST
MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
NTD6600N-1G
MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
AOTF11N70
MOSFET N-CH 700V 11A TO220-3F