Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FDB12N50UTM_WS
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FDB12N50UTM_WS-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 500 V 10A (Tc) 165W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Αποθέμα:
12836416
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FDB12N50UTM_WS Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
FRFET®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
500 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
10A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
800mOhm @ 5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1395 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
165W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-263 (D2PAK)
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDB12
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
800
Άλλα ονόματα
FDB12N50UTM_WSTR
FDB12N50UTM_WS-DG
FDB12N50UTM_WSCT
FDB12N50UTM_WSDKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STB11NK50ZT4
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
872
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STB11NK50ZT4-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.34
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
2N7002LT7G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
2SJ661-1E
MOSFET P-CH 60V 38A TO262-3
FQP5N60C
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220-3
