2SK4177-DL-1E

Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

2SK4177-DL-1E

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

2SK4177-DL-1E-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 1500V 2A TO263-2

Λεπτομερής Περιγραφή:

N-Channel 1500 V 2A (Ta) 80W (Tc) Surface Mount TO-263-2

Αποθέμα:

RFQ Online

12836429

Αίτηση Προσφοράς

Ποσότητα
Ελάχιστο 1

(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών

ΥΠΟΒΑΛΛΩ

2SK4177-DL-1E Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία

FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs

Κατασκευαστής

onsemi

Συσκευασία

-

Σειρά

-

Κατάσταση προϊόντος

Obsolete

Τύπος FET

N-Channel

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)

1500 V

Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C

2A (Ta)

Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs

13Ohm @ 1A, 10V

Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID

-

Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs

37.5 nC @ 10 V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds

380 pF @ 30 V

Δυνατότητα FET

-

Απαγωγή ισχύος (μέγ.)

80W (Tc)

Θερμοκρασία λειτουργίας

150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

TO-263-2

Συσκευασία / Θήκη

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Βασικός αριθμός προϊόντος

2SK4177

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων

Φύλλα δεδομένων

HTML Δελτίο δεδομένων

2SK4177-DL-1E-DG

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο

800

Άλλα ονόματα

2SK4177-DL-1E-DG

2SK4177-DL-1EOSTR

ONSONS2SK4177-DL-1E

2156-2SK4177-DL-1E

2SK4177-DL-1EOSDKR

2SK4177-DL-1EOSCT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS

ROHS3 Compliant

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)

1 (Unlimited)

Κατάσταση REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Πιστοποίηση DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Σχετικά προϊόντα

onsemi

FQD2N60CTF

MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK

onsemi

ATP102-TL-H

MOSFET P-CH 30V 40A ATPAK

onsemi

FCPF20N60FS

MOSFET N-CH 600V 20A TO220F

onsemi

FCP099N60E

MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3