Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FCMT360N65S3
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FCMT360N65S3-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 650V 10A 4PQFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount 4-PQFN (8x8)
Αποθέμα:
12840199
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FCMT360N65S3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
SuperFET® III
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
10A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
360mOhm @ 5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 200µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
730 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
83W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
4-PQFN (8x8)
Συσκευασία / Θήκη
4-PowerTSFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
FCMT360
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
FCMT360N65S3OSTR
FCMT360N65S3OSDKR
FCMT360N65S3-DG
FCMT360N65S3OSCT
2156-FCMT360N65S3TR
2832-FCMT360N65S3TR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NVE4153NT1G
MOSFET N-CH 20V 915MA SC89
FCD900N60Z
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252
FQD3N40TF
MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
