Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NVE4153NT1G
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NVE4153NT1G-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 20V 915MA SC89
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 20 V 915mA (Ta) 300mW (Tj) Surface Mount SC-89-3
Αποθέμα:
13049 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12840201
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NVE4153NT1G Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
915mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
230mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
1.82 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±6V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
110 pF @ 16 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
300mW (Tj)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SC-89-3
Συσκευασία / Θήκη
SC-89, SOT-490
Βασικός αριθμός προϊόντος
NVE4153
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
NVE4153NT1GOSTR
NVE4153NT1GOSCT
NVE4153NT1GOSDKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FCD900N60Z
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252
FQD3N40TF
MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
NVTFS005N04CTAG
MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN
