FCD9N60NTM
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FCD9N60NTM

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FCD9N60NTM-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 600V 9A DPAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 92.6W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Αποθέμα:

12839921
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FCD9N60NTM Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Σειρά
SupreMOS™
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
9A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
385mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
17.8 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1000 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
92.6W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-252AA
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
FCD9N60

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
2156-FCD9N60NTM-OS
FCD9N60NTMCT
FCD9N60NTMDKR
ONSONSFCD9N60NTM
FCD9N60NTMTR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STD15N60M2-EP
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STD15N60M2-EP-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.63
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STD13NM60ND
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
1927
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STD13NM60ND-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.83
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SIHD14N60E-GE3
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
1269
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SIHD14N60E-GE3-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.86
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPD60R360P7ATMA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
7000
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPD60R360P7ATMA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.54
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STD16N60M2
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2500
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STD16N60M2-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.79
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FQPF6N80C

MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220F

onsemi

HUFA75545P3

MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3

onsemi

SFT1452-TL-W

MOSFET N-CH 250V 3A DPAK/TP-FA

onsemi

NVMFS5C410NLAFT3G

MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN