Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SIHD14N60E-GE3
Product Overview
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SIHD14N60E-GE3-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 13A DPAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 147W (Tc) Surface Mount DPAK
Αποθέμα:
1269 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13005966
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SIHD14N60E-GE3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
Tube
Σειρά
E
Συσκευασία
Tube
Κατάσταση εξαρτήματος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
13A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
309mOhm @ 7A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1205 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
147W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
DPAK
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
SIHD14
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SQJ464EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
VS-FB180SA10P
MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227
SUM110P08-11L-E3
MOSFET P-CH 80V 110A TO263
