Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FCA36N60NF
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FCA36N60NF-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 34.9A TO3PN
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 34.9A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-3PN
Αποθέμα:
12850149
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FCA36N60NF Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
FRFET®, SupreMOS®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
34.9A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
95mOhm @ 18A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
112 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
4245 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
312W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-3PN
Συσκευασία / Θήκη
TO-3P-3, SC-65-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
FCA36N60
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
450
Άλλα ονόματα
488-FCA36N60NF
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TK31J60W,S1VQ
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Toshiba Semiconductor and Storage
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
25
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TK31J60W,S1VQ-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
4.32
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TK31J60W5,S1VQ
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Toshiba Semiconductor and Storage
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
25
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TK31J60W5,S1VQ-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
4.54
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FDB3652
MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
FDS2734
MOSFET N-CH 250V 3A 8SOIC
EMH1405-P-TL-H
MOSFET N-CH 30V 8.5A EMH8
