Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FDB3652
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FDB3652-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 9A (Ta), 61A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Αποθέμα:
12850153
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FDB3652 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
9A (Ta), 61A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
16mOhm @ 61A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2880 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
150W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-263 (D2PAK)
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDB365
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
800
Άλλα ονόματα
FDB3652DKR
FDB3652TR
FDB3652-DG
FAIFSCFDB3652
2156-FDB3652
FDB3652CT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STB80NF10T4
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
775
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STB80NF10T4-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.46
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPB70N10S3L12ATMA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
15020
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPB70N10S3L12ATMA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.14
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PSMN015-100B,118
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Nexperia USA Inc.
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2021
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PSMN015-100B,118-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.81
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPB144N12N3GATMA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2576
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPB144N12N3GATMA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.79
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PSMN016-100BS,118
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Nexperia USA Inc.
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
3321
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PSMN016-100BS,118-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.64
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FDS2734
MOSFET N-CH 250V 3A 8SOIC
EMH1405-P-TL-H
MOSFET N-CH 30V 8.5A EMH8
AOTF16N50
MOSFET N-CH 500V 16A TO220-3F
