Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
EFC6605R-V-TR
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
EFC6605R-V-TR-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 20V 10A 6EFCP
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 20V 10A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 6-EFCP (1.9x1.46)
Αποθέμα:
5000 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12840362
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
EFC6605R-V-TR Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
10A (Ta)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
13.3mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.3V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
19.8nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
-
Ισχύς - Μέγιστη
1.6W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-SMD, No Lead
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
6-EFCP (1.9x1.46)
Βασικός αριθμός προϊόντος
EFC6605
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
5,000
Άλλα ονόματα
2156-EFC6605R-V-TR-OS
488-EFC6605R-V-TRCT
ONSONSEFC6605R-V-TR
EFC6605R-V-TR-DG
488-EFC6605R-V-TR
488-EFC6605R-V-TRDKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
EMH2412-TL-H
MOSFET 2N-CH 24V 6A 8EMH
QJD1210011
SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE
NTJD5121NT1G
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
