EFC6605R-V-TR
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

EFC6605R-V-TR

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

EFC6605R-V-TR-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2N-CH 20V 10A 6EFCP
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 20V 10A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 6-EFCP (1.9x1.46)

Αποθέμα:

5000 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12840362
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

EFC6605R-V-TR Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
10A (Ta)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
13.3mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.3V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
19.8nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
-
Ισχύς - Μέγιστη
1.6W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-SMD, No Lead
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
6-EFCP (1.9x1.46)
Βασικός αριθμός προϊόντος
EFC6605

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
5,000
Άλλα ονόματα
2156-EFC6605R-V-TR-OS
488-EFC6605R-V-TRCT
ONSONSEFC6605R-V-TR
EFC6605R-V-TR-DG
488-EFC6605R-V-TR
488-EFC6605R-V-TRDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

EMH2412-TL-H

MOSFET 2N-CH 24V 6A 8EMH

powerex

QJD1210011

SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE

onsemi

NTJD5121NT1G

MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88

onsemi

NTLJD2104PTAG

MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN