QJD1210011
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

QJD1210011

Product Overview

Κατασκευαστής:

Powerex Inc.

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

QJD1210011-DG

Περιγραφή:

SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 100A (Tc) 900W Chassis Mount Module

Αποθέμα:

12840375
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

QJD1210011 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Powerex
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Discontinued at Digi-Key
Τεχνολογία
Silicon Carbide (SiC)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1200V (1.2kV)
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
25mOhm @ 100A, 20V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 10mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
500nC @ 20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
10200pF @ 800V
Ισχύς - Μέγιστη
900W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-40°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Chassis Mount
Συσκευασία / Θήκη
Module
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
Module
Βασικός αριθμός προϊόντος
QJD1210

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
1

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

NTJD5121NT1G

MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88

onsemi

NTLJD2104PTAG

MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN

onsemi

FDS8958

MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC

onsemi

HUFA76413DK8T

MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8SOIC