Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
EFC6601R-A-TR
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
EFC6601R-A-TR-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH EFCP2718
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 2W Surface Mount EFCP2718-6CE-020
Αποθέμα:
12924223
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
EFC6601R-A-TR Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
-
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
-
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
-
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
-
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
48nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
-
Ισχύς - Μέγιστη
2W
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-XFBGA, FCBGA
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
EFCP2718-6CE-020
Βασικός αριθμός προϊόντος
EFC6601
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
5,000
Άλλα ονόματα
2156-EFC6601R-A-TR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NVMD4N03R2G
MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
FDMA1023PZ-F106
MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
NTE2960
MOSFET 2N-CH 900V 7A TO220
