Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTE2960
Product Overview
Κατασκευαστής:
NTE Electronics, Inc
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTE2960-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 900V 7A TO220
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 900V 7A 40W Through Hole TO-220 Full Pack
Αποθέμα:
100 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12925113
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTE2960 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Συσκευασία
Bag
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
900V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
7A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2Ohm @ 3A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
-
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1380pF @ 25V
Ισχύς - Μέγιστη
40W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3 Full Pack
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220 Full Pack
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTE29
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1
Άλλα ονόματα
2368-NTE2960
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Κατάσταση REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
ECH8659-TL-W
MOSFET 2N-CH 30V 7A SOT28
EFC6602R-A-TR
MOSFET 2N-CH EFCP2718
NDS9953A
MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
