Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
AOW11N60
Product Overview
Κατασκευαστής:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
AOW11N60-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 11A TO262
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 272W (Tc) Through Hole TO-262
Αποθέμα:
773 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12848212
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
Tf05
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
AOW11N60 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
11A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
700mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1990 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
272W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-262
Συσκευασία / Θήκη
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Βασικός αριθμός προϊόντος
AOW11
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
Σχέδια προϊόντων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
785-1426-5
5202-AOW11N60
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
HUF75343S3
MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
AO7405
MOSFET P-CH 30V 1.4A SC70-6
FDS7096N3
MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC
