BS107ARL1
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

BS107ARL1

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

BS107ARL1-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 200 V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92 (TO-226)

Αποθέμα:

12847688
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

BS107ARL1 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
250mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
6.4Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 1mA
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
60 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
350mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-92 (TO-226)
Συσκευασία / Θήκη
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Βασικός αριθμός προϊόντος
BS107

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,000

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
RoHS non-compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BS107P
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
1875
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BS107P-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.19
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FDMS8050ET30

MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56

infineon-technologies

IPAN80R450P7XKSA1

MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3-31

onsemi

MCH3477-TL-E

MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70

onsemi

FDD5670

MOSFET N-CH 60V 52A TO252