Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
BS107P
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
BS107P-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 200 V 120mA (Ta) 500mW (Ta) Through Hole TO-92
Αποθέμα:
1875 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12902970
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
BS107P Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Bulk
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
120mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.6V, 5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
30Ohm @ 100mA, 5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
-
Vgs (Μέγ.)
±20V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
500mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-92
Συσκευασία / Θήκη
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Βασικός αριθμός προϊόντος
BS107
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
4,000
Άλλα ονόματα
BS107P-NDR
BS107
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXFN44N100Q3
MOSFET N-CH 1000V 38A SOT227B
ZXMP2120G4TA
MOSFET P-CH 200V 200MA SOT223
DMG1013UWQ-13
MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
