BS107P
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

BS107P

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

BS107P-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 200 V 120mA (Ta) 500mW (Ta) Through Hole TO-92

Αποθέμα:

1875 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12902970
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

BS107P Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Bulk
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
120mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.6V, 5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
30Ohm @ 100mA, 5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
-
Vgs (Μέγ.)
±20V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
500mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-92
Συσκευασία / Θήκη
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Βασικός αριθμός προϊόντος
BS107

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
4,000
Άλλα ονόματα
BS107P-NDR
BS107

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
littelfuse

IXFN44N100Q3

MOSFET N-CH 1000V 38A SOT227B

diodes

ZXMP2120G4TA

MOSFET P-CH 200V 200MA SOT223

diodes

DMG1013UWQ-13

MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323

diodes

ZXMN2A01FTA

MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3