Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
5LN01C-TB-E
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
5LN01C-TB-E-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 50 V 100mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-59-3/CP3
Αποθέμα:
12835357
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
5LN01C-TB-E Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
50 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
100mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
7.8Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
-
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
1.57 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
6.6 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
250mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SC-59-3/CP3
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
5LN01
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
5LN01C-TB-EOSCT
5LN01C-TB-EOSTR
5LN01C-TB-EOSDKR
2156-5LN01C-TB-E
ONSONS5LN01C-TB-E
5LN01C-TB-E-DG
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RUC002N05T116
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Rohm Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
611414
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RUC002N05T116-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.03
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
2N7002KW
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
7565
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
2N7002KW-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.05
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
BS108ZL1G
MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
AUIRFS3107
MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
BSS123_D87Z
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
