NDS9953A
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NDS9953A

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NDS9953A-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 2.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC

Αποθέμα:

12927098
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NDS9953A Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 P-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.9A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
130mOhm @ 1A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.8V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
25nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
350pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
900mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SOIC
Βασικός αριθμός προϊόντος
NDS995

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
NDS9953ADKR
NDS9953ACT-NDR
NDS9953ATR-NDR
NDS9953ATR
NDS9953ACT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDMA3023PZ
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
18996
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDMA3023PZ-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.26
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
toshiba-semiconductor-and-storage

SSM14N956L,EFF

MOSFET 2N-CH 12V 20A TCSPED

onsemi

FDJ1028N

MOSFET 2N-CH 20V 3.2A SC75-6

microsemi

JANTXV2N7335

MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB

onsemi

NTMD3P03R2G

MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC