PXP012-30QLJ
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

PXP012-30QLJ

Product Overview

Κατασκευαστής:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

PXP012-30QLJ-DG

Περιγραφή:

P-CHANNEL TRENCH MOSFET
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 30 V 8.9A (Ta), 38.8A (Tc) 1.7W (Ta), 32W (Tc) Surface Mount MLPAK33

Αποθέμα:

7256 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12997487
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

PXP012-30QLJ Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
8.9A (Ta), 38.8A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
12.8mOhm @ 9A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
43.4 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±25V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1400 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.7W (Ta), 32W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
MLPAK33
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerVDFN

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
934663638118
5202-PXP012-30QLJTR
1727-PXP012-30QLJTR
1727-PXP012-30QLJDKR
1727-PXP012-30QLJCT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
epc-space

FBG10N30BC

GAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B

onsemi

FDC638P-P

MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6

nexperia

2N7002HWX

2N7002HW/SOT323/SC-70

comchip-technology

CMS23P04D-HF

MOSFET P-CH 40V 23A DPAK