Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FBG10N30BC
Product Overview
Κατασκευαστής:
EPC Space, LLC
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FBG10N30BC-DG
Περιγραφή:
GAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 30A (Tc) Surface Mount 4-SMD
Αποθέμα:
170 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12997488
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FBG10N30BC Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
EPC Space
Συσκευασία
Bulk
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
GaNFET (Gallium Nitride)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
30A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
9mOhm @ 30A, 5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 5mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
11 nC @ 5 V
Vgs (Μέγ.)
+6V, -4V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1000 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
-
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
4-SMD
Συσκευασία / Θήκη
4-SMD, No Lead
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
154
Άλλα ονόματα
4107-FBG10N30BC
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
ECCN
9A515E1
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FDC638P-P
MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6
2N7002HWX
2N7002HW/SOT323/SC-70
CMS23P04D-HF
MOSFET P-CH 40V 23A DPAK
