Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
PSMN1R0-30YLDX
Product Overview
Κατασκευαστής:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
PSMN1R0-30YLDX-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 238W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Αποθέμα:
13721 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12829424
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
PSMN1R0-30YLDX Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
100A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.02mOhm @ 25A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.2V @ 2mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
121.35 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
8598 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
238W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
LFPAK56, Power-SO8
Συσκευασία / Θήκη
SC-100, SOT-669
Βασικός αριθμός προϊόντος
PSMN1R0
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,500
Άλλα ονόματα
568-11555-1-DG
568-11555-2
5202-PSMN1R0-30YLDXTR
568-11555-1
934068234115
PSMN1R0-30YLDX-DG
1727-1859-6
568-11555-6-DG
1727-1859-2
1727-1859-1
568-11555-6
568-11555-2-DG
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
BUK7108-40AIE,118
MOSFET N-CH 40V 75A SOT426
PSMN3R8-100BS,118
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
PSMN4R8-100BSEJ
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
