Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
PSMN4R8-100BSEJ
Product Overview
Κατασκευαστής:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
PSMN4R8-100BSEJ-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 120A (Tj) 405W (Tc) Surface Mount D2PAK
Αποθέμα:
14469 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12829452
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
PSMN4R8-100BSEJ Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
120A (Tj)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
4.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
278 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
14400 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
405W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
D2PAK
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Βασικός αριθμός προϊόντος
PSMN4R8
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
800
Άλλα ονόματα
1727-1103-2
568-10258-2
568-10258-6-DG
PSMN4R8-100BSEJ-DG
1727-1103-1
568-10258-1
1727-1103-6
934067369118
568-10258-2-DG
568-10258-1-DG
5202-PSMN4R8-100BSEJTR
568-10258-6
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
PSMN0R9-25YLDX
MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
BUK753R1-40E,127
MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
PSMN018-100PSFQ
MOSFET N-CH 100V 53A TO220AB
