PMV130ENEA/DG/B2R
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

PMV130ENEA/DG/B2R

Product Overview

Κατασκευαστής:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

PMV130ENEA/DG/B2R-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 40 V 2.1A (Ta) 5W (Tc) Surface Mount TO-236AB

Αποθέμα:

12832532
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

PMV130ENEA/DG/B2R Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
40 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.1A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
120mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
3.6 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
170 pF @ 20 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
5W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-236AB
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
934068781215

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PMV130ENEAR
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Nexperia USA Inc.
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
12990
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PMV130ENEAR-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.06
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Direct
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
nexperia

BUK9Y22-100E,115

MOSFET N-CH 100V 49A LFPAK56

nexperia

PMV30XPEAR

MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB

onsemi

3LP01C-TB-H

MOSFET P-CH 30V 100MA 3CP

infineon-technologies

AUIRLL2705

MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT223