3LP01C-TB-H
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

3LP01C-TB-H

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

3LP01C-TB-H-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 30V 100MA 3CP
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 30 V 100mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-59-3/CP3

Αποθέμα:

12832546
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

3LP01C-TB-H Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
100mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
10.4Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
-
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
1.43 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
7.5 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
250mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SC-59-3/CP3
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
3LP01

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
2156-3LP01C-TB-H-ONTR-DG
2156-3LP01C-TB-H
ONSONS3LP01C-TB-H

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
infineon-technologies

AUIRLL2705

MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT223

nexperia

PSMN8R3-40YS,115

MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK56

onsemi

3LN01S-TL-E

MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP

nexperia

BUK7Y25-60EX

MOSFET N-CH 60V 34A LFPAK56