PMPB09R5TPX
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

PMPB09R5TPX

Product Overview

Κατασκευαστής:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

PMPB09R5TPX-DG

Περιγραφή:

SMALL SIGNAL MOSFET FOR MOBILE
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 20 V 10.5A (Ta) 1.9W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount DFN2020M-6

Αποθέμα:

6000 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12986473
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

PMPB09R5TPX Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
TrenchMOS™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
10.5A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
11.5mOhm @ 10.5A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
29 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1730 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
DFN2020M-6
Συσκευασία / Θήκη
6-UDFN Exposed Pad

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
1727-PMPB09R5TPXTR
1727-PMPB09R5TPXDKR
934664983115
5202-PMPB09R5TPXTR
1727-PMPB09R5TPXCT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMP2110UQ-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3

vishay-siliconix

SI3469DV-T1-BE3

P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

goford-semiconductor

G12P10K

P100V,RD(MAX)<200M@-10V,RD(MAX)<