Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IPZA65R018CFD7XKSA1
Product Overview
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IPZA65R018CFD7XKSA1-DG
Περιγραφή:
HIGH POWER_NEW
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 106A (Tc) 446W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-3
Αποθέμα:
12986515
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
qOP4
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IPZA65R018CFD7XKSA1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Infineon Technologies
Συσκευασία
Tube
Σειρά
CoolMOS™ CFD7
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
106A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
18mOhm @ 58.2A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 2.91mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
234 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
11660 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
446W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PG-TO247-4-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-4
Βασικός αριθμός προϊόντος
IPZA65R
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
SP005413354
448-IPZA65R018CFD7XKSA1
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMP2070U-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
DMP2110UFDBQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
SI3460DDV-T1-BE3
N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
