PMGD175XNEX
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

PMGD175XNEX

Product Overview

Κατασκευαστής:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

PMGD175XNEX-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2N-CH 30V 870MA 6TSSOP
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 870mA (Ta) 260mW (Ta) Surface Mount 6-TSSOP

Αποθέμα:

8848 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12830074
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

PMGD175XNEX Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
870mA (Ta)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
252mOhm @ 900mA, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.25V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
1.65nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
81pF @ 15V
Ισχύς - Μέγιστη
260mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
6-TSSOP
Βασικός αριθμός προϊόντος
PMGD175

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
1727-2695-6
2156-PMGD175XNEX-NEX
934068835115
568-13214-1-DG
568-13214-2-DG
1727-2695-1
1727-2695-2
568-13214-6
5202-PMGD175XNEXTR
568-13214-6-DG
PMGD175XNEX-DG
568-13214-1
568-13214-2

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
nexperia

NX1029XH

MOSFET N/P-CH 50V 0.33A SOT666

nexperia

NX138BKSF

MOSFET 2N-CH 60V 0.33A 6TSSOP

infineon-technologies

AUIRF7313QTR

MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC

nexperia

NX3020NAKV,115

MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666