NX1029XH
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NX1029XH

Product Overview

Κατασκευαστής:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NX1029XH-DG

Περιγραφή:

MOSFET N/P-CH 50V 0.33A SOT666
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 50V 330mA (Ta), 170mA (Ta) 330mW (Ta), 1.09W (Tc) Surface Mount SOT-666

Αποθέμα:

12830167
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NX1029XH Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
N and P-Channel Complementary
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
50V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
330mA (Ta), 170mA (Ta)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.6Ohm @ 500mA, 10V, 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
0.6nC @ 4.5V, 0.35nC @ 5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
50pF @ 10V, 36pF @ 25V
Ισχύς - Μέγιστη
330mW (Ta), 1.09W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
SOT-563, SOT-666
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-666
Βασικός αριθμός προϊόντος
NX1029

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
4,000
Άλλα ονόματα
5202-NX1029XHTR
934065643125

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
nexperia

NX138BKSF

MOSFET 2N-CH 60V 0.33A 6TSSOP

infineon-technologies

AUIRF7313QTR

MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC

nexperia

NX3020NAKV,115

MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666

nexperia

BUK9K22-80EX

MOSFET 2N-CH 80V 21A LFPAK56D