Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
PHKD3NQ10T,518
Product Overview
Κατασκευαστής:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
PHKD3NQ10T,518-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SO
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 100V 3A 2W Surface Mount 8-SO
Αποθέμα:
12829022
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
PHKD3NQ10T,518 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
-
Σειρά
TrenchMOS™
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
3A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
90mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
21nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
633pF @ 20V
Ισχύς - Μέγιστη
2W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-65°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SO
Βασικός αριθμός προϊόντος
PHKD3
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
934055906518
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
2 (1 Year)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
PHKD13N03LT,118
MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SO
NX7002AKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.17A 6TSSOP
PMCXB900UELZ
MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN
