Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FDS89141
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FDS89141-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 100V 3.5A 1.6W Surface Mount 8-SOIC
Αποθέμα:
20665 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12848752
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FDS89141 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
3.5A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
62mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
7.1nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
398pF @ 50V
Ισχύς - Μέγιστη
1.6W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SOIC
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDS89
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
FDS89141DKR
FDS89141TR
FDS89141CT
FDS89141-DG
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
AON6932
MOSFET 2N-CH 30V 22A/36A 8DFN
AO4840L
MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC
FDS6912
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
